ZXMN10A07FTC

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理或负载开关方案是否还在为体积、损耗和可靠性而妥协？现在，一颗性能卓越的N沟道MOSFETZXMN10A07FTC，正以其出色的平衡性，为工程师们带来全新的选择。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体表现、实现设计精简化的关键动力。

想象一下，在那些空间极其宝贵的便携式设备内部，或是需要高效电能转换的电源模块中，ZXMN10A07FTC能够轻松胜任。其100V的漏源电压和700mA的连续漏极电流，为各类低压到中压的开关应用提供了坚实的保障。无论是电池保护电路中的负载开关，还是DC-DC转换器中的同步整流，亦或是电机驱动、LED照明控制中的功率切换，它都能以极低的导通电阻（典型值仅700毫欧）和超快的开关速度，显著降低导通损耗和开关损耗，让能量传递更高效，设备运行更清凉，续航时间自然得以延长。

选择ZXMN10A07FTC，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠性与极致性价比的结合。它采用经典的SOT-23-3封装，在提供强大性能的同时，将占板面积压缩到最小，非常适合高密度PCB布局。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取到有保障的库存，用于现有产品的维护或特定项目的开发，这无疑为您的供应链安全增添了一份安心。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您下一个成功设计中不可或缺的“高效能心脏”。

• 型号:ZXMN10A07FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗能在紧凑空间内实现高效、可靠开关的MOSFET而烦恼吗？ZXMN10A07FTC正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和700mA的持续电流能力，配合低至700毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电路运行更凉爽、能效更高。

它采用微型SOT-23-3封装，能轻松融入空间受限的便携设备、电源模块或控制板中。无论是用于负载开关、DC-DC转换，还是电机驱动等场景，它都能以快速的响应和稳定的性能，确保系统高效可靠地工作。选择它，就是选择了一种让设计更精简、性能更出众的轻松方式。