ZXMN0545G4TA

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为高电压、小电流场景下的开关损耗和空间占用而烦恼？现在，一款专为高效、紧凑设计而生的解决方案来了ZXMN0545G4TA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达450V的漏源电压和仅140mA的连续漏极电流，精准切入那些需要高耐压、低电流开关控制的细分市场，为您带来前所未有的设计自由度和可靠性保障。

想象一下，在您的离线式开关电源（SMPS）的启动或待机电路中，或者在LED照明驱动的初级侧控制部分，一颗体积小巧但性能强悍的开关器件是多么关键。ZXMN0545G4TA正是为此而生。它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下即可实现优异的导通特性，其紧凑的SOT-223封装完美适配高密度PCB布局，让您的产品在性能与体积之间找到最佳平衡点。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制模块中的信号切换，它都能稳定工作于-55°C至150°C的严苛环境，确保系统长期稳定运行。

选择ZXMN0545G4TA，意味着您选择了一种更智慧的设计哲学。它不仅仅是一个晶体管，更是提升系统整体效率、简化电路布局、降低综合成本的关键一环。其极低的输入电容（仅70pF @ 25V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力能效提升。当您需要可靠的高压小电流开关解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，获取这颗芯片及其全面的技术支持，无疑是加速项目落地、打造市场差异化竞争优势的明智之举。让ZXMN0545G4TA成为您下一个明星产品中，那个虽小却至关重要的高效心脏。

• 型号:ZXMN0545G4TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZXMN0545G4TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭高压、小电流开关任务的“得力干将”吗？ZXMN0545G4TA正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有高达450V的耐压和140mA的电流处理能力，专为要求苛刻的电源管理场景优化。

它能让您在设计离线式电源、LED驱动或各类控制电路时，轻松实现高效、可靠的开关功能。其紧凑的SOT-223封装和优异的电气特性（如低至3V的阈值电压），不仅节省宝贵的电路板空间，更能显著提升系统整体能效和响应速度，让您的产品设计更简洁、性能更出众。