ZXM64P035L3

当您的电源管理设计需要在紧凑空间内实现高效、可靠的开关控制时，您是否在寻找一款既能承载稳定电流，又具备出色散热表现的解决方案？答案或许就藏在ZXM64P035L3这颗性能卓越的P沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效与可靠性的得力助手。

这款来自Diodes Incorporated的功率器件，以其35V的漏源电压和高达12A（Tc）的连续漏极电流能力，为各种中低压应用场景注入了强劲动力。想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动模块或是负载开关电路中，ZXM64P035L3能够以极低的导通电阻（低至75毫欧）工作，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的电能被高效地输送到负载端。这不仅直接降低了系统的整体功耗，也显著减轻了散热设计的压力，让您的产品在长时间运行中依然保持冷静与稳定。

无论是工业自动化设备中的电机控制，还是消费电子产品的电源管理单元，甚至是汽车电子中的辅助系统，ZXM64P035L3都能凭借其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220封装，从容应对苛刻的环境挑战。其优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，这对于追求高效率和高频率的开关电源设计至关重要，能有效减少开关损耗，提升系统响应速度。

选择ZXM64P035L3，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。它代表了Diodes在功率半导体领域深厚的技术积淀。为了确保您能便捷、稳定地获得这颗优质芯片及其相关技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的DIODES代理进行采购。这不仅关乎正品保障，更能为您后续的量产供应和设计支持铺平道路。让这颗高效的P沟道MOSFET，成为您下一个成功产品设计中不可或缺的核心力量，助力您的创意在效率和可靠性上双双赢得市场。

• 型号:ZXM64P035L3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 35V 3.3A/12A TO220-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取ZXM64P035L3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在为寻找一颗能兼顾性能、效率与可靠性的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXM64P035L3正是为您而来的解决方案。这颗芯片能轻松驾驭高达35V的电压和12A的峰值电流，其超低的导通电阻（典型值75毫欧）意味着它能以极高的效率进行功率切换，显著减少能量损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动设计运行得更冷静、更持久。

凭借其优化的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），ZXM64P035L3能让您在各种严苛的应用环境中游刃有余，无论是工业控制、消费电子还是汽车辅助系统。它采用坚固的TO-220封装，散热性能优异，确保长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠并重的强大内核。