ZXM64P035GTA

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为寻找一颗可靠、高效的P沟道MOSFET而烦恼？想象一下，一款能在35V电压下稳定工作，提供高达5.3A连续电流的开关器件，却能被封装在轻巧的SOT-223中，这将是怎样的设计解放？这正是ZXM64P035GTA为您带来的现实。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化布局、赢得市场的关键一步。

这颗来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET，以其卓越的电气特性，无缝融入从便携式设备、电池保护到DC-DC转换器、负载开关的广阔天地。无论是需要高效电源路径管理的智能穿戴设备，还是对空间和散热有严苛要求的车载充电模块，它都能凭借仅75毫欧的低导通电阻和高达2W的功率耗散能力，确保能量以最低损耗、最高效率进行传递。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为产品在各种恶劣环境下稳定运行提供了坚实保障，让您的设计无惧挑战。

选择ZXM64P035GTA，就是选择了一种经过验证的可靠性与卓越的性能价值。它采用成熟的MOSFET技术，在4.5V至10V的驱动电压下即可实现优异的开关特性，极低的栅极电荷（仅46nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES芯片代理渠道，您依然可以获取库存，为现有产品线的维护或特定项目提供关键支持。在元器件选型中，有时经典与稳定所带来的长期价值，远胜于追逐新品的不确定性。让这颗性能强悍的MOSFET成为您经典设计中不可或缺的“能量阀门”，助您构建更高效、更可靠的电子系统。

• 型号:ZXM64P035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 35V 3.8A/5.3A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），5.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为复杂的电源开关设计头疼吗？ZXM64P035GTA就是您的高效解决方案。这颗P沟道MOSFET能轻松担当您系统中的“智能开关”，在高达35V的电压和5.3A的电流下稳健工作，其超低的导通电阻（最低75毫欧）能显著减少功率损耗，直接提升整机效率，让电能传输更“顺畅”。

它专为简化您的设计而生。采用紧凑的SOT-223封装，极大节省PCB空间，非常适合空间受限的便携式产品。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的可靠性。无论是用于电池供电设备的负载管理，还是DC-DC转换器中的开关应用，它都能让您轻松实现高效、可靠的电源控制，是提升产品竞争力的得力助手。