ZXM61N03FTC

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在为寻找一款性能可靠、体积小巧的功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的答案ZXM61N03FTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的耐压和1.4A的连续电流能力，在微小的SOT-23-3封装内蕴藏着强大的能量。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、优化空间布局的得力助手。

想象一下，在便携式设备、电池管理系统或是高效的DC-DC转换器中，ZXM61N03FTC能够轻松胜任负载开关、电机驱动或电源路径管理的核心角色。其低至220毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接转化为更长的电池续航时间或更低的系统发热。无论是智能穿戴设备需要瞬间唤醒大电流负载，还是物联网传感器模块要求超低待机功耗的精密控制，它都能精准响应，确保系统稳定可靠地运行。

选择ZXM61N03FTC，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与设计灵活性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严苛环境挑战，而标准化的表面贴装封装则极大简化了您的生产流程。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和出色的性能参数，使其在特定应用和库存解决方案中依然极具价值。为了确保您能获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行咨询与采购，从而为您的项目成功增添一份坚实的保障。让这颗高效能的小芯片，成为您下一个创新产品中不可或缺的“能量心脏”。

• 型号:ZXM61N03FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 910mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路板上的空间捉襟见肘，却又需要可靠的功率开关而发愁吗？ZXM61N03FTC正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能在仅SOT-23-3大小的身躯里，为您提供高达30V的电压耐受和1.4A的电流处理能力，让您在紧凑设计中依然能实现高效的能量控制。

它的核心价值在于高效与易用。仅需4.5V至10V的驱动电压，配合低至220毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换，ZXM61N03FTC都能让您轻松实现稳定、快速的控制，简化您的设计挑战。