ZXM61N03FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内实现高效功率控制的开关而烦恼？想象一下，一个仅需微小占板面积，却能稳定承载1.4A电流、轻松应对30V电压环境的解决方案，它将如何释放您设计的潜能？这正是ZXM61N03FTA为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师手中实现高效、可靠电源管理的秘密武器。

它的身影活跃在众多前沿应用中。无论是需要精密电源管理的便携式设备、智能穿戴，还是对空间和效率有严苛要求的DC-DC转换模块、负载开关电路，ZXM61N03FTA都能游刃有余。其低至220毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了终端产品的续航能力和可靠性。而仅4.1nC的低栅极电荷，确保了快速的开关速度，让您的系统响应更加敏捷，在高速PWM控制中表现尤为出色。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境挑战的底气，无论是炎热的车载电子舱还是低温的户外监测设备，都能稳定运行。

选择ZXM61N03FTA，就是选择了一种经过市场验证的平衡艺术。它在电压、电流、导通电阻、开关速度以及封装尺寸之间取得了完美平衡。SOT-23-3的超小型封装，为日益追求轻薄短小的现代电子产品节省了宝贵的PCB空间，同时其表面贴装特性也适配自动化生产，助力您降低成本、提升制造效率。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，通过正规的DIODES授权代理渠道获取ZXM61N03FTA，不仅是获得了一颗优质的芯片，更是获得了原厂的技术支持、质量保证和稳定的供货保障，让您的产品从设计到量产都后顾无忧。

• 型号:ZXM61N03FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 910mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的电路板寻找一颗强劲又高效的“开关心脏”吗？ZXM61N03FTA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能在30V电压下稳定通过1.4A电流，其核心魅力在于极低的220毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它拥有快速的开关特性（栅极电荷仅4.1nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），无论是用于便携设备的电源管理、电机驱动，还是高效的DC-DC转换，都能让您轻松实现高效、可靠的控制。采用标准的SOT-23-3封装，易于焊接和自动化生产，是您提升产品性能与性价比的明智之选。