ZXM61N02FTA

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为如何在小空间内实现高效、可靠的功率控制而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZXM61N02FTA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破空间与性能的极限而生。它不仅仅是一个开关，更是您产品实现高效能、长寿命和稳定运行的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式音频播放器或小巧的电源管理模块中，ZXM61N02FTA正以其卓越的性能默默工作。它拥有20V的漏源电压和高达1.7A的连续漏极电流，足以轻松应对各种低压、中电流的负载切换任务。无论是电池供电设备的负载开关，还是DC-DC转换器中的同步整流，这颗芯片都能确保能量以最小的损耗、最迅捷的速度进行传递。其低至180毫欧的导通电阻（在4.5V驱动下），意味着更少的热量产生和更高的整体效率，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。

选择ZXM61N02FTA，就是选择了一份可靠与安心。它采用经典的SOT-23-3封装，体积小巧却功能强大，完美适配高密度的PCB布局。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定如一。极低的栅极电荷和输入电容，使得它能够被快速驱动，减少开关损耗，进一步提升系统响应速度。当您需要为项目寻找一个值得信赖的功率开关解决方案时，通过正规的DIODES授权代理获取原装正品的ZXM61N02FTA，无疑是确保供应链稳定和产品品质的最佳途径。让这颗高效能的MOSFET，成为您点亮创意、驱动创新的核心动力。

• 型号:ZXM61N02FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 930mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？ZXM61N02FTA正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、可靠地控制20V电压、1.7A电流的电路通断，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用微型的SOT-23-3封装，让您能在极其紧凑的空间内实现强大的功率管理功能，非常适合便携式电子产品、电源模块等对空间敏感的应用。同时，宽广的工作温度范围和优异的开关特性，确保它在各种环境下都能稳定工作，轻松应对快速开关的需求，全面提升您的系统性能和可靠性。