ZXM41N10FTC

在追求极致能效的今天，您的下一个紧凑型电源或信号切换方案，是否还在为寻找一颗性能可靠、体积小巧且成本优化的MOSFET而烦恼？想象一下，一个仅需3V驱动电压就能高效导通，在100V高压下依然稳定工作的开关核心，能为您的设计带来怎样的变革？这正是ZXM41N10FTC为您呈现的价值图景。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和170mA的连续漏极电流能力，天生就是为空间受限的高压小电流应用场景而生。无论是便携式设备中的电源管理路径切换，还是工业传感器模块中的信号隔离与选通，它都能以极低的导通电阻（典型值仅8欧姆@4.5V Vgs）确保能量损耗最小化，将更多电能转化为有效功。其SOT-23-3的超小型封装，让它在拥挤的PCB板上游刃有余，为您的产品瘦身和功能集成提供了无限可能。

选择ZXM41N10FTC，意味着您选择了一种经过市场验证的稳健设计哲学。它不仅仅是一个开关元件，更是系统可靠性的基石。高达±40V的栅源电压耐受范围，提供了更强的抗干扰能力，让您的产品在面对复杂电磁环境时依然从容不迫。其快速的开关特性，得益于仅25pF的输入电容，能显著提升系统的响应速度与整体效率。当您需要可靠、高效的MOSFET解决方案时，联系专业的DIODES代理商，无疑是获取正品货源与技术支持的快捷通道。让这颗小巧而强大的芯片，成为您点亮创意、优化性能、赢得市场的秘密武器。

• 型号:ZXM41N10FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 150mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为高压小电流电路的开关选择而犹豫吗？ZXM41N10FTC就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任100V电压下的170mA电流开关任务，其低至3V的驱动门槛和高效的导通性能，让您的设计告别笨重与低效，瞬间变得小巧而强大。

它专为节省空间的表面贴装应用优化，SOT-23-3封装使其能轻松融入各类便携设备和精密模块。无论是实现精准的电源路径管理，还是完成快速的信号切换，ZXM41N10FTC都能以卓越的电气特性，确保系统运行更稳定、更节能，助您轻松打造出更具竞争力的产品。