ZVP3310FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在小巧空间内实现稳定可靠的高压开关控制而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案ZVP3310FTA。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和仅SOT23-3的微型封装，正在重新定义紧凑型高压应用的性能边界。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品在激烈市场中脱颖而出的秘密武器。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或工业传感器模块中，ZVP3310FTA能够轻松担当起电源开关、负载切换或信号隔离的重任。其高达100V的耐压能力，让您在面对电压波动时高枕无忧；而仅75mA的连续漏极电流与20欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），则确保了在开关过程中的高效与低损耗。无论是-55°C的严寒还是150°C的酷热，它都能稳定工作，为您的产品提供从极端环境到日常使用的全场景可靠性保障。选择可靠的DIODES芯片代理，正是确保这份卓越性能从数据表完美转化为您终端产品表现的关键一步。

那么，为什么越来越多的工程师将ZVP3310FTA作为首选？答案在于它无与伦比的综合价值。在空间就是金钱的今天，其SOT23-3表面贴装封装为您节省了每一毫米的宝贵PCB面积。同时，10V的标准驱动电压使其极易与常见的微控制器或逻辑电路配合，大大简化了您的驱动电路设计，缩短开发周期。更低的输入电容（仅50pF）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统整体能效。这意味着，您不仅获得了一颗高性能的芯片，更获得了一个能降低系统复杂度、提升可靠性并加速产品上市的整体解决方案。让ZVP3310FTA成为您下一个设计中的核心动力，开启高效、紧凑与可靠的新篇章。

• 型号:ZVP3310FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVP3310FTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗既能承受高压挑战，又能在紧凑空间内游刃有余的开关解决方案吗？ZVP3310FTA正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的漏源电压，却仅采用微型的SOT23-3封装，让您能在便携设备、电池保护板等空间受限的应用中，轻松实现高效、可靠的电源切换与负载控制。

它能在10V的标准驱动电压下高效工作，最大导通电阻低至20欧姆，确保开关过程损耗最小。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和仅330mW的功率耗散，赋予了产品卓越的环境适应性与稳定性。选择ZVP3310FTA，就是选择了一个让设计更简单、让产品更耐用的高效路径。