ZVP3310A

当您需要一款能在高压环境下稳定工作、同时保持出色能效表现的P沟道MOSFET时，您会如何选择？答案或许就藏在ZVP3310A这颗精巧而强大的芯片之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性、优化系统设计的得力助手。凭借高达100V的漏源电压承受能力和精心优化的导通电阻，它能在各种严苛条件下为您提供稳定、高效的能量控制，让您的设计从众多产品中脱颖而出。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动电路或是负载开关应用中，ZVP3310A正默默发挥着关键作用。它那140mA的连续漏极电流能力，足以驱动众多中小功率负载；而宽广的-55°C至150°C工作温度范围，意味着无论是酷热的工业环境还是严寒的户外设备，它都能从容应对，确保您的产品在各种极端气候下依然稳定运行。这正是Diodes Incorporated深厚技术积淀的体现，选择它，就是选择了一份安心与保障。

为什么越来越多的工程师将目光投向ZVP3310A？因为它精准地平衡了性能、可靠性与成本。经典的TO-92-3通孔封装，让它在原型设计和小批量生产中易于焊接和更换；仅需10V的驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了您的驱动电路设计，降低了整体系统复杂度。当您通过值得信赖的DIODES授权代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是高品质的元器件，更是完整的技术支持和供应链保障。在追求产品卓越性能的道路上，让ZVP3310A成为您值得信赖的伙伴，共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:ZVP3310A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVP3310A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一款可靠、高效的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZVP3310A正是为您量身打造的解决方案！它能轻松胜任高达100V电压下的开关与控制任务，其140mA的连续电流能力让您从容驱动各类中小功率负载，无论是电源管理、信号切换还是电机驱动，都能游刃有余。

这颗芯片采用经典的TO-92-3封装，让您的焊接与组装变得异常简单。更令人惊喜的是，它仅需10V驱动电压即可实现优异的导通性能，极大简化了您的周边电路设计，让系统更紧凑、更高效。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在各种严苛环境下的稳定表现，是您提升产品可靠性的不二之选。