ZVP2120ASTZ

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准控制的P沟道MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍ZVP2120ASTZ，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，将以其卓越的200V耐压能力和高效低功耗特性，为您的电源管理、负载开关等应用注入强大而可靠的动力。

想象一下，在您的智能家居设备、工业控制模块或消费电子产品的电源路径中，ZVP2120ASTZ正扮演着关键角色。它就像一个反应迅速、忠诚可靠的“电力守门员”，仅需10V的驱动电压即可高效导通，将高达120mA的连续电流稳稳掌控。其极低的导通电阻（典型值）意味着更少的能量损耗在芯片本身，更多的电能被有效输送给负载，直接帮助您的终端产品延长续航、降低发热，在激烈的市场竞争中赢得“高效节能”的宝贵口碑。无论是需要高压隔离的场合，还是对空间和成本都极其敏感的紧凑型设计，它都能完美适配。

选择ZVP2120ASTZ，就是选择了一份来自业界标杆的安心保障。Diodes Incorporated以其一贯的高品质和稳定性著称，而这款器件宽达-55°C至150°C的工作结温范围，更是确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大幅提升了您产品的可靠性和耐用性。经典的TO-92-3通孔封装，让它在原型设计和小批量生产中易于焊接和更换，加速您的开发进程。当您决定将这份卓越集成到您的设计中时，选择一家可靠的DIODES一级代理至关重要，他们不仅能提供正品保障和具有竞争力的价格，更能为您带来及时的技术支持和稳定的供货渠道，让您的产品从研发到量产一路畅通。

• 型号:ZVP2120ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• 想获取ZVP2120ASTZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭高压侧开关任务的“得力干将”吗？ZVP2120ASTZ正是为您而来！这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力，让您在设计电源电路、负载开关或信号切换时底气十足，轻松应对各种高压环境挑战。

它的核心价值在于高效与易用。仅需10V的驱动电压即可实现低阻抗导通，最大120mA的连续漏极电流足以应对多种控制场景。这意味着它能帮助您的系统显著降低开关损耗，提升整体能效，同时简化的驱动电路也让您的设计更紧凑、成本更优化。无论是用于节能设备还是需要可靠隔离的模块，它都能让您的产品性能更上一层楼。