ZVP2120A

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为高压小电流开关应用中的元器件选择而困扰？当传统方案面临体积、功耗或成本的多重挑战时，ZVP2120A的出现，为您带来了一个清晰而强大的答案。这款来自Diodes Incorporated的高性能P沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和精妙的120mA连续漏极电流设计，专为那些需要稳健高压控制却对空间和功耗极为敏感的场景而生。

想象一下，在您的智能家居网关电源管理模块中，它能够优雅地实现高压侧开关，确保系统在待机时功耗降至最低；在工业传感器信号调理电路中，它能可靠地切换高压偏置电源，为微弱信号采集保驾护航；甚至在老式设备的升级改造中，其经典的TO-92-3通孔封装让替换和调试变得异常轻松。它的价值不仅在于参数本身，更在于它能将复杂的高压隔离与控制任务，化繁为简，集成进一个微小而坚固的封装里，让您的产品在稳定性和能效上立刻脱颖而出。

选择ZVP2120A的理由显而易见。在高达150°C的结温下依然稳定工作，意味着它能从容应对严苛的环境；仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了驱动电路设计，节省了周边元件成本。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取深度的技术咨询，确保这颗芯片的性能在您的系统中得到百分百的发挥。它虽然已停产，但在许多存量应用和特定设计中，其经过市场长期验证的可靠性依然是无可替代的价值之选。

• 型号:ZVP2120A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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还在寻找一颗能轻松驾驭200V高压、同时保持极简驱动与高可靠性的开关器件吗？ZVP2120A正是为您而来。这颗P沟道MOSFET让您仅用10V电压就能高效控制120mA的电流通路，其低至25欧姆的导通电阻（@10V, 150mA）意味着更低的导通损耗和更优的能效表现。

它采用经典的TO-92-3通孔封装，坚固耐用，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围让您无惧环境挑战。无论是用于电源管理中的高压侧开关、信号链路的隔离切换，还是各类需要可靠高压小电流控制的场合，它都能让您的设计更稳健、更高效。选择它，就是选择了一份经过验证的可靠与简洁。