ZVP2110ASTOB

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下可靠工作的小功率开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的答案ZVP2110ASTOB。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其高达100V的漏源电压和稳健的E-Line封装，为您的设计注入持久的动力与安心。

想象一下，在那些需要精密控制与信号切换的关键场合，无论是工业控制模块中的电平转换，还是消费电子设备里的负载开关，ZVP2110ASTOB都能轻松胜任。它仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，其最大8欧姆的导通电阻确保了在230mA连续电流下的低损耗运行，让您的系统能量尽其用，减少不必要的发热。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境中稳定如一，成为您产品可靠性的坚实基石。

选择ZVP2110ASTOB，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种经过市场验证的设计哲学。它经典的TO-92兼容封装，让替换和升级变得无比简便，极大缩短了您的开发周期。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能与广泛的适用性，使其在存量市场与特定延续性项目中依然闪耀着不可替代的价值。要获取这颗经典芯片或寻求专业的替代与备货方案，我们推荐您咨询专业的DIODES中国代理，他们能为您提供精准的库存信息与全面的技术支持，确保您的供应链稳定无忧。

• 型号:ZVP2110ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 375mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVP2110ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能简化高压侧开关设计、提升系统效率的“得力助手”吗？ZVP2110ASTOB正是这样一款专为小功率精密控制而生的P沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达100V的电压，并以仅10V的低驱动电压实现高效通断，显著降低您的驱动电路复杂度与功耗。

这颗芯片的核心价值在于其稳健与高效。它能在高达230mA的连续电流下可靠工作，最大8欧姆的导通电阻确保了能量的高效传输，减少功率损耗。其经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，让焊接和原型制作变得异常轻松，非常适合需要高可靠性与易于维护的工业、汽车电子及各类电源管理应用。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。