ZVP1320FTC

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为高压小电流开关应用寻找一颗既可靠又经济的解决方案？当传统方案在体积、功耗与成本间难以平衡时，ZVP1320FTC的出现，为您带来了一个令人惊喜的答案。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其200V的高耐压和仅35mA的连续漏极电流，精准定位于那些需要高压隔离、信号切换或低功耗驱动的关键节点。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化电路布局的得力助手。

想象一下，在您的智能家居网关、工业传感器模块或便携式医疗设备中，ZVP1320FTC正在默默发挥着巨大作用。它能够轻松胜任电池供电设备中的电源路径管理，实现高效节能的开关控制；在通信接口或信号链路上，它提供稳定的高压隔离与信号切换，确保数据传输的纯净与安全；其SOT-23-3的超小封装，更是为空间受限的紧凑型设计释放了宝贵的PCB面积，让您的产品在保持高性能的同时，外观更加精巧。无论是消费电子还是工业控制，它都能无缝融入，成为系统稳定运行的坚实基石。

选择ZVP1320FTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极具竞争力的成本优势。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标包括高达150°C的工作结温和仅3.5V的低开启阈值使其在存量市场及特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于正在使用或计划备货的工程师而言，通过可靠的DIODES一级代理渠道进行采购，是确保获得正品货源、保障项目连续性与长期支持的最佳途径。让这颗经典芯片的卓越性能，继续为您的创新设计注入稳定与活力。

• 型号:ZVP1320FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVP1320FTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压、小电流的电路控制寻找一颗“恰到好处”的开关吗？ZVP1320FTC正是为您而来！这颗P沟道MOSFET拥有200V的高耐压能力，能轻松应对各种需要高压隔离或信号切换的场合，而其仅35mA的连续漏极电流和低至3.5V的开启电压，让它特别擅长于电池供电设备或低功耗模块中的高效电源管理。

它采用微小的SOT-23-3封装，能极大节省您的电路板空间，让设计更紧凑、更优雅。高达150°C的工作结温确保了它在严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的保障与高效的控制解决方案。