ZVP1320FTA

当您的设计需要在高压环境下实现精准的开关控制，同时还要兼顾极致的空间效率和可靠性时，您是否在寻找一个能完美平衡这些需求的解决方案？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍ZVP1320FTA这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的高性能核心元件。

想象一下，在您的电源管理模块、工业控制板或是便携式设备的保护电路中，ZVP1320FTA正以其高达200V的漏源电压耐受能力，为您构筑起一道坚固的电气屏障。它能在严苛的电压波动中稳如磐石，确保后级电路的安全。而其仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，让您的控制逻辑设计变得前所未有的简洁高效。无论是需要隔离切换的辅助电源，还是精密仪器中的信号路径选择，这颗芯片都能以极低的功耗和出色的响应速度，成为您系统中那个默默奉献却至关重要的“智能开关”。

选择ZVP1320FTA，意味着您选择了一种经过市场验证的卓越价值。它采用经典的SOT-23-3封装，在仅有指甲盖大小的面积内，集成了强大的性能，为您宝贵的PCB空间“减负”。高达150°C的结温工作范围，使其能够从容应对高温环境的考验，显著提升整机产品的耐用性和稳定性。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得原厂正品保障和稳定的供货支持，还能得到专业的技术服务，让您的产品从设计到量产都一路畅通。这不仅仅是一颗晶体管，更是助力您的产品在性能、可靠性和成本上赢得竞争优势的关键拼图。

• 型号:ZVP1320FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVP1320FTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流电路的开关控制寻找一颗可靠、紧凑的“心脏”吗？ZVP1320FTA正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有200V的高耐压和35mA的连续电流能力，能让您轻松驾驭各种需要电气隔离或信号切换的应用场景。

它最大的魅力在于极高的易用性和稳定性。仅需10V电压即可高效驱动，导通电阻低至80欧姆，意味着更低的导通损耗和更优的能效表现。同时，其超小的SOT-23-3封装为您节省了宝贵的电路板空间，让您的设计更加紧凑精巧。无论是用于电源管理、接口保护还是负载开关，ZVP1320FTA都能以出色的性能，让您的产品运行更稳定、更高效。