ZVP1320ASTZ

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持低功耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的可靠答案ZVP1320ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的经典功率器件，以其200V的高耐压能力和精准的电流控制，为您的设计注入持久可靠的动力源泉。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品性能、确保系统稳定性的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或工业控制电路中，ZVP1320ASTZ正默默发挥着核心作用。它那P沟道的特性，配合高达200V的漏源电压承受能力，让它在需要高压侧开关或电平转换的应用中游刃有余。无论是家用电器中的待机电源管理，还是通信设备里的信号切换，这颗芯片都能在-55°C到150°C的宽温范围内稳定运行，确保您的产品在各种严苛环境下都能表现出色。其经典的TO-92兼容封装（E-Line），更让它在空间有限的PCB板上也能轻松布局，为您的生产带来便利。

选择ZVP1320ASTZ，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管它已进入停产状态，但其成熟的工艺和卓越的性能，使其在存量市场和应用维护中依然拥有不可替代的价值。对于许多经典产品或需要长期稳定供应的项目而言，找到可靠的库存来源至关重要。这正是我们作为专业的DIODES代理所能提供的核心价值我们不仅理解这颗芯片的技术参数，更理解它对于您项目延续性的意义。我们致力于为您连接可靠的供应链，确保您能获得正品元件，让您的设计无后顾之忧。让这颗高效、稳定的MOSFET，成为您打造优质产品最坚实的基石。

• 制造商产品型号：ZVP1320ASTZ
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 70MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务的P沟道MOSFET吗？ZVP1320ASTZ正是为您而来！这颗芯片的核心使命，就是让您在高达200V的电压环境中，实现高效、可靠的电能控制与信号切换。

凭借其70mA的连续漏极电流能力和仅需10V的低驱动电压，它能让您的电路设计更加简洁高效。其80欧姆的低导通电阻（在50mA, 10V条件下）意味着更低的功率损耗，直接帮助您提升系统能效。无论是用于电源管理、负载开关还是接口保护，ZVP1320ASTZ都能以稳定的表现，确保您的设备运行更持久、更可靠。