ZVP1320ASTOB

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为高压小信号开关的选型而困扰？当传统方案在200V高压环境下显得笨重且效率低下时，ZVP1320ASTOB的出现，为您带来了一个精妙而强大的解决方案。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和仅为70mA的连续漏极电流，精准定位于那些需要高压隔离、低功耗控制的精密应用场景，让高压开关变得前所未有的简洁与可靠。

想象一下，在您的工业传感器接口、通信线路保护或高电压电平转换电路中，ZVP1320ASTOB能够轻松担当起安全卫士的角色。其P沟道设计简化了驱动逻辑，在10V的驱动电压下即可实现高效导通，而80欧姆的最大导通电阻确保了在50mA电流下的低损耗。无论是-55°C的严寒还是150°C的高温结温，它都能稳定工作，625mW的功率耗散能力与经典的TO-92兼容封装（E-Line），让它在空间受限或需要高可靠性的通孔安装设计中游刃有余。这意味着，从苛刻的汽车电子到精密的仪器仪表，它都能无缝融入，提升整体系统的稳健性。

选择ZVP1320ASTOB，就是选择了一种经过验证的简洁与高效。它虽然已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能使其在特定存量市场和延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言，与一家可靠的DIODES芯片代理合作，是确保这类优质器件持续服务于您关键项目的明智之举。这颗芯片不仅仅是一个元件，更是您构建高压、低功耗、高可靠性电路的信心基石，让复杂的设计挑战化繁为简，助力您的产品在性能与成本间找到完美平衡点。

• 制造商产品型号：ZVP1320ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 70MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZVP1320ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流电路的开关控制寻找一颗“听话”又可靠的芯片吗？ZVP1320ASTOB正是为您而来。这颗P沟道MOSFET就像一个高效的高压电子开关，能轻松处理高达200V的电压，并以仅70mA的微小电流实现精准控制，特别适合那些需要高压隔离或电平转换的精密场合。

它能让您的设计事半功倍。仅需10V电压驱动，它就能迅速响应，实现高效导通，其低至50pF的输入电容确保了快速的开关速度，减少延迟。采用经典的TO-92兼容封装，安装简便，无论是在原型验证还是量产中，都能让您轻松集成，大幅提升电路板的可靠性与整体性能，是优化高压侧控制逻辑的得力助手。