ZVP1320ASTOA

在追求极致能效与可靠性的电路设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持小巧体积的P沟道MOSFET而困扰？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍ZVP1320ASTOA，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，专为那些对性能与空间都有严苛要求的应用而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动控制板或是工业级传感器模块中，需要一颗能够承受高达200V电压的P沟道MOSFET来执行精准的开关或信号调理任务。ZVP1320ASTOA正是为此场景量身打造。其70mA的连续漏极电流和仅需10V的低驱动电压，意味着它能够以极高的效率响应控制信号，在复杂的电路环境中扮演稳定而可靠的“守门员”角色。无论是应对-55°C的严寒还是150°C的高温，它都能保持稳定的电气特性，确保您的设备在各种极端环境下持续稳定运行，大大延长了产品的生命周期和可靠性。

选择ZVP1320ASTOA，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与设计灵活性。经典的TO-92兼容封装（E-Line），使其能够轻松融入现有的通孔PCB布局，简化了您的设计与生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标如80欧姆的低导通电阻和仅50pF的微小输入电容使其在库存或特定应用中依然具有不可替代的价值。对于正在寻找可靠元件以维护或升级现有系统的工程师而言，通过专业的DIODES代理商获取这颗芯片，无疑是保障供应链稳定与产品品质的明智之举。它代表了一个时代的经典设计，其稳定性和在高压、小信号领域的精准控制能力，至今仍能为您的项目注入强大的信心与价值。

• 制造商产品型号：ZVP1320ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 70MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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还在为高压侧开关电路寻找一颗小巧又强大的“心脏”吗？ZVP1320ASTOA正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力，让您在设计电源管理、接口保护或信号切换电路时，能够从容应对高压挑战，确保系统安全无虞。

它专为高效控制而生。仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，70mA的连续电流处理能力足以应对多种小功率控制场景。其经典的TO-92兼容封装，让您能轻松集成到现有设计中，大大简化了布局与焊接流程。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的可靠性与设计上的高自由度。