ZVP1320A

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为高压小信号开关电路的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个经久考验的卓越解决方案ZVP1320A。这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其高达200V的漏源电压和精准的70mA连续漏极电流控制能力，自问世以来便成为众多经典设计中不可或缺的“幕后功臣”。即便在停产状态下，其卓越的性能与广泛的适用性，依然使其在特定应用和库存市场中备受青睐，持续为您的项目注入稳定与信心。

想象一下，在那些需要高压侧开关、电平转换或负载管理的场景中，ZVP1320A正默默发挥着关键作用。无论是工业控制板上的信号隔离、通信设备中的电源路径管理，还是消费电子里精巧的节能电路，它都能凭借其P沟道特性简化驱动设计，仅需10V的驱动电压即可实现高效导通。其紧凑的TO-92-3封装，让它在空间受限的板卡上也能游刃有余，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是确保了它在严苛环境下依然稳定如初，让您的产品无惧挑战。

选择ZVP1320A，就是选择了一份经过时间验证的可靠与高效。它不仅仅是一个元件，更是您设计思路的完美延伸。其80欧姆的典型导通电阻在50mA电流下表现优异，配合极低的输入电容，确保了快速的开关响应和极低的功率损耗，直接助力提升系统整体能效。当您需要为经典设计维护、特定批量生产寻找可靠且性价比较高的核心开关器件时，这颗芯片的价值便凸显无疑。我们作为专业的DIODES芯片代理，深谙其技术特性与市场定位，能够为您提供精准的选型支持与稳定的供应渠道，确保您的创新之路畅通无阻。

总而言之，在高压、小电流的精密控制领域，ZVP1320A代表了一种务实而高效的设计哲学。它可能不是最新潮的型号，但其在特定应用场景中提供的性能、可靠性及设计简便性，至今仍难以被完全替代。让我们携手，将这份经典的性能与智慧，融入您的下一个杰出产品之中。

• 型号:ZVP1320A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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还在寻找一颗能轻松驾驭200V高压侧开关任务的可靠“守门员”吗？ZVP1320A正是为您而来。这颗P沟道MOSFET能让您仅用10V的低压驱动，就稳健地控制高达70mA的负载通断，其优异的开关特性显著简化您的电路设计，提升系统响应速度。

它专为高效、紧凑的应用而生。TO-92-3的经典封装节省宝贵空间，宽广的工作温度范围确保从酷寒到炎热的极端环境下性能始终如一。无论是用于电平转换、信号隔离还是负载管理，ZVP1320A都能以低至80欧姆的导通电阻和微小的功耗，默默提升您的整机效率与可靠性。