ZVP0120AS

当您的设计需要在高电压环境下实现稳定、可靠的开关控制时，您是否曾为寻找一款性能与成本完美平衡的解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重介绍ZVP0120AS，这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为满足您对高压、小信号开关的严苛要求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化电路设计、赢得市场竞争的有力武器。

想象一下，在您的智能家居控制器、工业传感器模块或者离线式电源的辅助电路中，ZVP0120AS正以其高达200V的漏源电压承受能力，从容应对各种电压尖峰和波动，确保核心电路的安全无虞。其110mA的连续漏极电流，足以驱动继电器线圈、LED阵列或作为信号隔离的完美开关，让您的系统运行如丝般顺滑。无论是需要高效电源管理的消费电子，还是追求极致可靠性的工业设备，它都能无缝融入，成为电路中那个默默奉献却至关重要的“守门员”。

选择ZVP0120AS，就是选择了一份来自业界领先品牌的品质承诺。Diodes Incorporated的技术底蕴赋予了它卓越的稳定性。仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，配合经典的TO-92-3通孔封装，让您的PCB布局和焊接生产都变得异常轻松，大幅缩短研发周期，加速产品上市。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量检验的库存，为您的现有产品维护或特定项目提供稳定供应，彻底解决您的后顾之忧。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品长期价值所做的明智投资。

• 型号:ZVP0120AS
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 110MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVP0120AS的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压侧开关电路的设计而头疼吗？让ZVP0120AS来为您轻松化解难题！这颗P沟道MOSFET是您控制电路中的得力干将，它能凭借200V的高耐压和110mA的驱动能力，安全、可靠地为您执行开关任务，无论是电源管理、信号切换还是负载驱动，都能高效完成。

它采用经典的TO-92-3封装，让您的电路板布局和焊接生产都变得简单直接。更令人安心的是，其最大导通电阻低至32欧姆，在10V驱动下即可发挥优异性能，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率。选择它，就是为您的产品选择了一份稳定与高效的保障。