ZVNL120GTC

当您需要一款能在高压环境下稳定控制微小电流的开关时，是否曾为寻找体积小巧、性能可靠的解决方案而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZVNL120GTC，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高效、紧凑型功率开关的严苛要求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在您的电源适配器、LED驱动或是各类离线式开关电源中，一个关键的开关位置需要承受高达200V的电压，同时又要精准地控制数百毫安的电流。ZVNL120GTC正是为此场景量身打造。其200V的漏源电压（Vdss）为您提供了充足的安全余量，确保在电网波动或复杂工况下依然稳定如山。而仅需3V至5V的低驱动电压，就能实现高效导通，这意味着您可以直接用微控制器或低压逻辑电路轻松驱动，无需复杂的电平转换电路，大大简化了系统设计，降低了整体成本。无论是工业控制板上的信号切换，还是消费电子产品中的功率管理模块，它都能游刃有余，让您的设计更加优雅高效。

选择ZVNL120GTC，就是选择了一份值得信赖的保障。Diodes Incorporated以其卓越的半导体技术享誉全球，这颗芯片继承了其高可靠性的基因。SOT-223的紧凑封装，在节省宝贵PCB空间的同时，其2W的功率耗散能力确保了出色的散热性能，让您的设备在-55°C到150°C的宽广温度范围内都能稳定工作。更低的导通电阻意味着更小的导通损耗和发热，直接提升了系统的能效和可靠性。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时，遍布全球的DIODES代理商网络随时准备为您服务，确保您的供应链畅通无阻，项目进展无忧。它是一款已经过市场长期验证的经典器件，虽然产品状态显示为停产，但在许多成熟、高可靠性的设计中，它依然是无可替代的优选，库存和替代方案咨询可通过正规渠道获取。让ZVNL120GTC成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:ZVNL120GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVNL120GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流开关的选择而犹豫吗？ZVNL120GTC就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它就像一个高效、敏捷的电力开关，轻松应对高达200V的电压，精准控制320mA的电流，让您的电源管理、信号隔离或电机驱动电路设计瞬间变得简单可靠。

凭借仅需3V-5V的低驱动电压和出色的导通特性，它能被微控制器直接唤醒，大幅简化您的驱动电路。采用节省空间的SOT-223贴片封装，帮助您最大化利用PCB面积，同时其坚固的设计确保在严苛环境下稳定工作。选择ZVNL120GTC，就是选择用一颗高度集成的芯片，轻松实现高效、紧凑且可靠的电路控制，加速您的产品上市进程。