ZVNL120CSTZ

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压小电流应用中稳定可靠、同时兼顾成本效益的开关解决方案而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍ZVNL120CSTZ，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为精准解决此类挑战而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场先机的得力助手。

想象一下，在您的离线式电源适配器、LED驱动或是家用电器控制板中，需要一个可靠的开关来管理高压侧电路。ZVNL120CSTZ凭借其高达200V的漏源电压和仅需3V/5V的低驱动门槛，让高压切换变得前所未有的轻松和安全。它那经典的E-Line（TO-92兼容）封装，不仅传承了通孔安装的坚固与可靠，更便于在现有成熟产线上快速集成，大幅缩短您的产品上市周期。无论是需要高效能量转换的消费电子，还是要求长期稳定运行的工业控制节点，它都能游刃有余，成为电路设计中沉默而强大的基石。

选择ZVNL120CSTZ，就是选择了一份经过市场验证的卓越价值。其180mA的连续漏极电流能力与仅10欧姆的低导通电阻（在5V驱动下），确保了在信号切换和小功率控制中极低的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。高达700mW的功率耗散能力，赋予了它更强的环境适应性。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES代理商合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的设计之旅全程无忧。在元器件选型这场关键的博弈中，ZVNL120CSTZ以其出色的性能参数、经典的封装形式和来自Diodes的品牌信誉，为您提供了风险最低、回报最高的解决方案，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:ZVNL120CSTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL120CSTZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要高压、小电流精准控制的电路吗？ZVNL120CSTZ正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达200V的电压，并以最低仅3V的驱动电压迅速响应您的控制指令，让您高效完成开关动作，同时将能量损耗降至最低。

它采用经典的E-Line通孔封装，坚固可靠，便于焊接和集成，非常适合电源适配器、LED驱动及各种电器控制板中的高压侧开关应用。选择它，就是为您的产品选择了一颗稳定、高效且易于使用的“心脏”，让复杂的设计变得简单，让性能的提升触手可及。