ZVNL120C

当您的设计需要在小空间内实现高效、可靠的功率开关时，您是否曾为寻找一款兼具性能与成本优势的解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZVNL120C，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对紧凑型、高性能开关的严苛要求而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品能效、简化设计流程、赢得市场先机的得力助手。

想象一下，在您的智能家居控制器、便携式设备电源管理模块或工业传感器接口中，一颗小巧的TO-92-3封装器件，却能稳健地处理高达200V的电压和180mA的连续电流。这正是ZVNL120C带来的核心价值。其低至3V的驱动电压门槛，让您的低压控制电路能够轻松驾驭它，实现高效的能量通路控制。无论是需要快速响应的开关电源辅助电路，还是对功耗极其敏感的电池供电设备中的负载开关，这颗芯片都能以其低导通电阻和出色的开关特性，确保能量以最小的损耗精准传递，让您的终端产品运行更安静、更持久、更可靠。

选择ZVNL120C，意味着您选择了一种经过市场验证的稳健设计思路。它虽然已处于停产状态，但其经典的性能参数和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或经典设计延续的理想选择。其高达700mW的功率耗散能力，为您的系统提供了充足的热设计余量。更重要的是，通过我们值得信赖的DIODES中国代理，您不仅能获得这颗性能卓越的芯片，更能享受到专业的选型支持、稳定的供货渠道与高效的本地化服务。我们理解，每一颗芯片都承载着您产品的核心功能与市场期望，因此我们致力于为您提供从元器件到解决方案的全方位价值。

在竞争日益激烈的电子市场，细节决定成败。ZVNL120C以其在高压小电流应用场景中的精准表现，帮助您优化BOM成本，提升系统整体可靠性。它就像一位沉默而可靠的伙伴，在电路板的关键节点上默默值守，确保每一次开关动作都精准无误。当您追求设计极致、渴望在性能与成本间找到完美平衡点时，让ZVNL120C成为您值得信赖的选择，共同开启高效、稳健的电子设计新篇章。

• 型号:ZVNL120C
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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还在为寻找一款能在高压、小电流场景下稳定工作的开关器件而费神吗？ZVNL120C正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和180mA的连续电流处理能力，采用经典的TO-92-3通孔封装，让您能在紧凑的空间内轻松实现高效的功率控制。

它的魅力在于极低的驱动需求，仅需3V电压即可高效开启，让您的低压微控制器或逻辑电路能够直接、轻松地驱动它，大幅简化您的电路设计。同时，其优异的开关特性有助于减少开关损耗，让您的设备运行更加高效、节能。无论是用于电源管理、信号切换还是负载驱动，ZVNL120C都能以可靠的性能，成为您设计中坚实而高效的一环。