ZVNL120ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持出色开关性能的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案ZVNL120ASTOB。这款由Diodes Incorporated精心打造的功率器件，以其200V的漏源电压和高达150°C的结温工作能力，为您的设计注入强大的动力与持久的可靠性。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动控制板或是工业自动化设备的保护电路中，ZVNL120ASTOB正默默发挥着关键作用。它那仅需3V至5V的低驱动电压，意味着您可以用更简单的驱动电路实现高效开关，显著降低系统整体功耗与设计复杂度。其紧凑的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更以其经典的封装形式确保了卓越的散热性能和焊接可靠性，让您的产品在严苛环境中也能稳定运行。

选择ZVNL120ASTOB，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。尽管它已进入停产状态，但其卓越的性能指标180mA的连续漏极电流、仅10欧姆的低导通电阻以及高达700mW的功率耗散能力使其在存量市场及对长期可靠性有极高要求的应用中依然闪耀着价值。这正是经典器件的魅力所在：性能历久弥坚。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购，这不仅是对产品质量的保障，更是对您项目成功的一份郑重承诺。

• 型号:ZVNL120ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL120ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小信号开关电路的选择犯难吗？让ZVNL120ASTOB来轻松化解您的设计挑战！这颗N沟道MOSFET是Diodes Incorporated的经典之作，它能为您在高达200V的电压下，提供稳定可靠的开关控制。其180mA的电流处理能力和仅需3V的低驱动门限，让您能够高效地管理能量，简化驱动电路设计，显著提升系统整体能效。

这颗芯片采用经典的E-Line通孔封装，兼容TO-92，为您带来出色的安装便利性与散热性能。它能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，确保您的设备无论是在严寒还是酷热的环境中都能持续可靠运行。选择它，就是为您的电源管理、电机驱动或保护电路选择了一位值得信赖的“高效执行者”。