ZVNL120ASTOA

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为高压小信号开关的选型而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的经典答案ZVNL120ASTOA。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的高耐压和180mA的连续漏极电流能力，在众多需要可靠隔离与高效控制的场景中，始终扮演着默默守护的关键角色。它不仅仅是一个元器件，更是您电路设计中提升整体可靠性与能效表现的坚实基石。

想象一下，在您的智能家居控制器、工业传感器模块或低功耗电源的辅助电路中，ZVNL120ASTOA能够轻松胜任信号切换、负载隔离或电平转换的任务。其仅需3V至5V的低驱动电压即可实现高效导通，让您的低压微控制器能够安全、可靠地控制更高电压的回路，极大地简化了系统设计并降低了整体功耗。其经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，更是为原型验证、小批量生产或需要高可靠性的工业应用提供了便捷且稳固的物理连接方案。

选择ZVNL120ASTOA，意味着您选择了一份历经考验的稳定与安心。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能参数高达200V的漏源电压、-55°C至150°C的宽工作温度范围以及仅700mW的功率耗散使其在存量市场及特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于寻求稳定供应与技术支持的设计师而言，通过正规的DIODES授权代理渠道进行询盘与采购，是确保获得原装正品、获取准确产品生命周期信息并获得可靠支持的明智之举。让这颗经典芯片的卓越性能，继续为您的创新产品注入持久的生命力与市场竞争力。

• 型号:ZVNL120ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL120ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭高压小信号开关任务的可靠“执行者”吗？ZVNL120ASTOA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有200V的高耐压和180mA的连续电流处理能力，让您的低压控制电路（如MCU GPIO）能够安全、高效地切换更高电压的负载或信号路径。

它采用经典的TO-92兼容封装，便于安装和测试。其低至3V/5V的驱动门槛和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保您的设计在各种环境下都能稳定运行，无论是工业控制模块、传感器接口还是电源辅助电路，它都能让您的系统设计更简洁、更可靠。