ZVNL120A

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持出色开关性能的MOSFET而烦恼？现在，答案来了ZVNL120A，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您的严苛需求而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统功耗、实现设计创新的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或高效照明系统中，ZVNL120A凭借其高达200V的漏源电压和优化的导通电阻，能够轻松应对各种高压切换场景。其低至1.5V的栅极阈值电压，意味着您可以用更低的驱动电压实现高效开关，这不仅简化了您的驱动电路设计，更直接降低了系统的整体功耗。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定可靠的性能，确保您的产品在各种极端环境下依然坚如磐石。

选择ZVNL120A，就是选择了一份卓越的价值承诺。它采用经典的TO-92-3通孔封装，兼容性强，易于焊接和集成，能显著缩短您的开发周期。其180mA的连续漏极电流能力和仅700mW的功率耗散，在同类产品中实现了性能与尺寸的完美平衡。无论您是设计紧凑的消费电子产品，还是需要高可靠性的工业控制设备，这颗芯片都能以出色的性价比，成为您电路板上的核心亮点。如需获取稳定的供货与专业的技术支持，请联系我们的DIODES中国代理，我们将全程为您保驾护航。

• 型号:ZVNL120A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVNL120A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小信号开关电路寻找一颗“得力干将”吗？ZVNL120A N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能让您轻松驾驭高达200V的电压，并以仅需3-5V的低驱动电压实现快速、可靠的开关动作，显著提升您的电路响应速度与能效。

这颗芯片专为要求苛刻的应用而优化。其低至10欧姆的导通电阻（@5V, 250mA）意味着更小的导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和坚固的TO-92-3封装，确保它在各种环境下都能稳定工作，是您构建高可靠性设计的理想基石。