ZVNL110ASTZ

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中压信号的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍ZVNL110ASTZ，这颗来自Diodes Incorporated的精巧N沟道MOSFET，它正是为高效、可靠的开关应用而生。凭借其100V的漏源电压和320mA的连续漏极电流能力，它就像一个微型但强大的电力阀门，让您能够精准、高效地控制电路中的能量流动，为您的产品注入稳定可靠的核心动力。

想象一下，在您的电源适配器、电池管理模块或是各类消费电子产品的控制电路中，ZVNL110ASTZ能够轻松胜任。它卓越的5V/10V低驱动电压特性，意味着它能够与常见的微控制器或逻辑电路完美配合，无需复杂的电平转换，大大简化了您的设计。其低至3欧姆的导通电阻（在10V Vgs下），确保了在开关过程中极低的能量损耗，这不仅提升了整体系统的效率，更直接转化为更长的设备续航时间和更低的发热量，让您的产品在市场竞争中赢得“更省电、更冷静”的用户口碑。

选择ZVNL110ASTZ，就是选择了一份经得起考验的承诺。它采用经典的TO-92兼容封装（E-Line），通孔安装方式成熟可靠，便于生产和维修。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下都能稳定工作。这颗芯片将高性能与高可靠性融为一体，是您提升产品品质、降低长期故障风险的明智之选。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供全面的技术支持和便捷的供应链服务，助您的新项目快速落地，抢占市场先机。

• 型号:ZVNL110ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL110ASTZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您需要一个能轻松驾驭100V电压、精准控制数百毫安电流的智能开关吗？ZVNL110ASTZ正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个高效的数字阀门，仅需极低的驱动电压（最低5V）即可快速响应，实现电路的通断控制，让您的设计告别复杂，走向简洁高效。

它凭借出色的低导通电阻特性，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您产品的能效表现。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换，它都能在-55°C到150°C的广阔温度范围内稳定工作，确保您的设备在各种环境下都可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一份持久的稳定与高效。