ZVNL110A

想象一下，在您的下一个紧凑型电源设计或高效负载开关方案中，如何用一颗小巧的器件，同时实现高耐压、低功耗和卓越的开关性能？答案或许就藏在ZVNL110A这颗精密的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统能效、简化电路布局、并确保长期可靠性的得力助手。在追求极致性能与成本平衡的今天，选择一款合适的核心开关器件，往往决定了整个项目的成败。

无论是需要精密电流控制的便携式设备，还是对空间和散热有严苛要求的嵌入式模块，ZVNL110A都能大显身手。其100V的漏源电压（Vdss）和高达320mA的连续漏极电流，让它能够从容应对各类低压到中压的开关与驱动任务。从电池管理电路中的保护开关，到传感器信号的通断控制；从LED背光的调光驱动，再到小型电机或继电器的智能驱动，这颗芯片都能以其快速响应和低导通电阻，确保能量高效、精准地传递，最大限度地减少无用损耗，让您的终端产品运行更冷静、续航更持久。

那么，在众多同类产品中，为何要特别关注ZVNL110A？首先，它源自业界知名的Diodes Incorporated，其品质与一致性拥有坚实的保障。选择它，意味着您选择了一份可靠。其次，其仅需5V的低驱动电压即可实现优异的导通特性，极大简化了驱动电路设计，让您的系统更容易与微控制器等低压逻辑器件直接接口。再者，TO-92-3的经典通孔封装，兼顾了安装便利性与良好的散热能力，非常适合在空间受限但又需要可靠性的场景中使用。当您通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购时，不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术选型建议，让您的产品开发之旅更加顺畅。让ZVNL110A成为您下一个创新设计中的核心动力，开启高效与可靠的新篇章。

• 型号:ZVNL110A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVNL110A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能在紧凑空间内可靠工作的高性能开关管而烦恼吗？ZVNL110A正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和320mA的连续电流能力，让您能轻松驾驭从电源管理到信号切换的各种应用场景。

它的魅力在于高效与易用。仅需5V的低驱动电压，就能实现优异的导通性能，极大简化了您的驱动电路设计。同时，低至3欧姆的导通电阻（最大值）意味着更少的能量损耗和发热，让您的系统运行更冷静、更高效。经典的TO-92-3封装，则为您提供了坚固耐用且易于焊接的安装选择。

无论是用于便携设备的节能开关，还是嵌入式模块中的精密控制，ZVNL110A都能以稳定可靠的表现为您的产品增值。选择它，就是选择了一份让设计更简单、让性能更出众的安心保障。