ZVN4525GTA

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或信号切换方案，是否还在为寻找一颗性能可靠、体积小巧且性价比高的高压MOSFET而烦恼？答案或许就藏在ZVN4525GTA这颗明星器件之中。来自Diodes Incorporated的这款N沟道MOSFET，以其高达250V的漏源电压和优化的导通电阻，为您的高压小电流应用场景提供了坚实而高效的开关核心。它不仅是一颗元件，更是您提升产品可靠性、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在您的离线式开关电源辅助绕组供电、LED驱动控制或是工业传感器信号隔离电路中，ZVN4525GTA能够轻松胜任。其2.5V的低驱动门槛，意味着它能够与多种微控制器或逻辑电路无缝对接，显著降低您的驱动电路设计难度与成本。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了超快的开关速度，有效减少了开关损耗，让您的系统运行更加凉爽、高效。无论是应对严苛的工业环境温度，还是满足消费电子对空间极致的压缩需求，它SOT-223的紧凑封装都游刃有余。

选择ZVN4525GTA，就是选择了一份来自全球知名半导体制造商Diodes的品质承诺与性能保障。它不仅仅提供了优异的电气参数，更代表着一种设计理念：在有限的成本和空间内，实现最大化的性能与可靠性。为了确保您能获得原装正品与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方指定的DIODES授权代理进行采购。让这颗高效能的小尺寸高压开关，成为您产品设计中不可或缺的价值基石，助您在市场竞争中率先赢得技术优势与客户信赖。

• 型号:ZVN4525GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN4525GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能够以微小身躯驾驭高压任务，同时保持快速响应与低损耗的开关解决方案？ZVN4525GTA正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有250V的耐压能力和310mA的连续电流，专为高压、小电流的精密开关场景优化设计。

它的核心价值在于让您的设计化繁为简。仅需2.5V的低驱动电压即可高效导通，让您轻松搭配各类控制芯片，大幅简化驱动电路。其极低的栅极电荷和输入电容带来了迅猛的开关速度，显著降低功耗与发热，提升系统整体能效。无论是空间受限的板卡，还是对温度范围要求严苛的应用，其SOT-223封装和宽广的工作温度都能从容应对，是您提升产品可靠性与竞争力的理想选择。