ZVN4310GTC

当您的下一个设计项目需要一颗能在100V电压下稳定工作，同时保持紧凑尺寸和出色效率的功率开关时，您会如何选择？答案可能就藏在ZVN4310GTC这颗经典的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程的得力助手。凭借其100V的漏源电压和1.67A的连续漏极电流能力，它为各种中低压应用场景提供了坚实可靠的心脏，让能量转换与控制变得前所未有的高效与精准。

想象一下，在您的电源适配器、DC-DC转换器或是电机驱动电路中，ZVN4310GTC正默默发挥着关键作用。它那仅540毫欧的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。无论是消费电子产品的电源管理模块，还是工业控制板上的负载开关，这颗芯片都能确保快速、干净的开关动作，有效减少电压尖峰和电磁干扰，为整个系统的稳定运行保驾护航。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。

选择ZVN4310GTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与Diodes Incorporated卓越的工艺品质。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和出色的参数表现，使其在仍有库存或特定延续设计中极具价值。对于寻求稳定供应与性能保障的工程师而言，与可靠的DIODES芯片代理合作，是获取这类经典器件、确保项目顺利推进的明智之选。它采用标准的SOT-223封装，在PCB上占用的空间极小，非常适合空间受限的现代电子设备，让您的设计在性能和体积之间找到完美平衡点，最终打造出更小巧、更强大、更具市场竞争力的产品。

• 型号:ZVN4310GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.67A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:540 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN4310GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能够以微小体积承载高效开关任务的“能量阀门”？ZVN4310GTC正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和1.67A的电流处理能力，能轻松胜任电源转换、负载开关及电机控制中的核心开关角色。

它的魅力在于高效与易用。仅需5V至10V的驱动电压，即可实现极低的导通损耗（典型导通电阻低至540毫欧），让您的系统运行更凉爽、能效比更高。采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，节省宝贵的电路板空间，同时其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入一份可靠与高效的动力。