ZVN4310A

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款兼具高性能与成本效益的开关解决方案而困扰？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案ZVN4310A。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达900mA的连续漏极电流，正成为众多工程师心中替代传统方案的明星选择。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计精简化的得力助手。

想象一下，在您的智能家居设备、便携式消费电子产品或高效的电源适配器中，ZVN4310A能够轻松胜任负载开关、电机驱动或DC-DC转换等关键任务。其低至500毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是应对突发的电流冲击，还是在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，它都展现出了卓越的可靠性，让您的设计无惧各种环境挑战。

选择ZVN4310A的理由清晰而有力。它采用了经典的TO-92-3通孔封装，兼容性强，便于在各类PCB上布局和焊接。仅需5V至10V的驱动电压即可实现高效开关，极大地简化了您的驱动电路设计，降低了整体BOM成本。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能确保获得原装正品和稳定的供货支持，还能获得专业的技术咨询，让您的产品从设计到量产一路畅通。让ZVN4310A成为您下一个成功项目的基石，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:ZVN4310A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:850mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVN4310A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为开关电路的效率与体积烦恼吗？ZVN4310A正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通断，其100V的耐压和900mA的持续电流能力，让您在设计电源管理、电机驱动或信号切换电路时充满信心。

它最大的魅力在于让您“轻装上阵”。仅需较低的驱动电压，其导通电阻可低至500毫欧，这意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更持久。经典的TO-92-3封装，让安装和替换都变得异常轻松。选择ZVN4310A，就是选择了一种简单、高效且可靠的电路控制方式，助您轻松提升产品性能。