ZVN4306GVTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、控制精准的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVN4306GVTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压能力和2.1A的连续电流，在众多应用中证明了其可靠性与价值。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统效率、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或是负载开关电路中，ZVN4306GVTC能够轻松胜任。其低至330毫欧的导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是作为便携式设备中的电池保护开关，它都能确保能量高效、精准地传递。其SOT-223的紧凑封装，更是为空间受限的现代电子产品设计提供了极大的便利，让您在有限的板级空间内实现强大的功率处理能力。

选择ZVN4306GVTC，就是选择了一份经过市场验证的安心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定表现。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和卓越的性能使其依然是许多经典和延续性项目的理想选择。对于需要可靠供货和专业技术支持的客户，通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得关于替代型号或库存解决方案的专业建议，为您的项目顺利推进保驾护航。让这颗小小的芯片，成为您产品设计中强大而沉默的基石。

• 型号:ZVN4306GVTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN4306GVTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能高效控制功率路径的“开关”吗？ZVN4306GVTC正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和2.1A的连续电流处理能力，能轻松担当起您电路中负载开关、电机驱动或电源转换的关键角色。

它的核心魅力在于高效。仅需5V至10V的驱动电压，就能实现极低的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。采用SOT-223表贴封装，节省宝贵的PCB空间，让您的设计更加紧凑。选择它，就是为您的产品注入一份可靠与高效的动力。