ZVN4210GTC

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中等功率的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的出色答案ZVN4210GTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达800mA的连续漏极电流，为众多应用场景提供了坚实而高效的核心动力。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、优化设计布局的关键一步。

想象一下，在您的电源管理模块中，无论是AC-DC适配器中的辅助开关，还是电池供电设备中的负载开关，ZVN4210GTC都能凭借其优异的电气特性大显身手。其仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，配合SOT-223的紧凑封装，让您在有限的主板空间内也能游刃有余地实现功能布局。从工业控制板上的电机驱动到消费电子产品中的LED调光控制，这颗芯片都能确保快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗，让整个系统的运行更加安静、高效且持久。

选择ZVN4210GTC，意味着您选择了一份经过时间考验的可靠性。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对苛刻的环境挑战，确保您的产品在各种条件下稳定运行。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场和特定延续性项目中依然极具价值。为了确保您能获得正品货源与稳定的供应支持，我们强烈推荐您通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，这不仅能保障芯片的原厂品质，还能为您提供专业的技术选型支持与供应链服务，让您的项目推进再无后顾之忧。

• 型号:ZVN4210GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN4210GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、处理近1安培电流的紧凑型开关吗？ZVN4210GTC正是为您而来！这颗N沟道MOSFET就像一个高效可靠的“电子开关”，能在您的电路中精准控制电流的通断。

它让您仅用标准的5V或10V逻辑电平就能轻松驱动，实现低至1.5欧姆的导通电阻，极大减少了功率损耗和发热。无论是用于电源转换、电机控制还是信号切换，其SOT-223的小巧身形都能帮助您节省宝贵的电路板空间，同时确保从-55°C到150°C的极端温度下稳定工作，为您的设计注入强劲且持久的动力。