ZVN3320FTC

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压小信号应用中稳定发挥的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案ZVN3320FTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和精妙的60mA连续漏极电流处理能力，专为那些需要高电压隔离和精准小电流控制的场景而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、确保长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在您的电话机振铃电路、交换机接口模块或者需要高压电平转换的精密仪器中，ZVN3320FTC能够轻松胜任。其SOT-23-3的超紧凑封装，让您在有限的PCB空间内实现强大的功能集成，尤其适合对体积有严苛要求的便携式设备或高密度板卡设计。在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定性能，这意味着无论您的产品应用于严寒的户外环境还是高温的工业机箱内部，都能提供 unwavering 的可靠性。选择与可靠的DIODES代理合作，您获得的不仅是这颗芯片，更是从源头保障的正品品质与专业的技术支持网络。

为什么众多工程师在面临类似选型时，会持续信赖这款已进入停产状态但需求依旧的经典型号？答案在于其无可替代的价值平衡。10V的驱动电压即可实现高效导通，最大仅3V的栅极阈值电压使其易于被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，极大简化了您的驱动电路设计。25欧姆的导通电阻在100mA电流下表现优异，确保了在开关过程中的低功耗与低发热。虽然产品状态显示停产，但其成熟的设计、广泛的应用验证和可能存在的充足库存，使其成为许多现有产品维护升级或追求经典稳定设计的绝佳选择。它代表了一个时代的可靠性标准，是您构建经得起时间考验的产品的坚实基石。

• 型号:ZVN3320FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压，同时精准控制微小电流的开关器件吗？ZVN3320FTC正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能让您高效地完成高压小信号切换、接口保护或电平转换等任务，其仅60mA的连续漏极电流和低至3V的驱动门槛，让您的低压控制电路也能轻松指挥高压侧，简化整个系统设计。

得益于其SOT-23-3的超小型封装和表面贴装技术，您可以极大地节省宝贵的电路板空间，实现更紧凑、更优雅的产品布局。高达330mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。选择ZVN3320FTC，就是选择了一份经过验证的稳健与高效。