ZVN3320ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持紧凑体积的开关解决方案而困扰？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍ZVN3320ASTOB，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的卓越耐压能力和精准的控制特性，正成为工程师们应对严苛挑战的秘密武器。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升系统性能、简化设计复杂度的关键伙伴。

想象一下，在那些需要高压切换但空间极其有限的场景中，比如智能家居中的继电器驱动、工业传感器模块的电源管理，或是消费电子中精巧的背光控制。ZVN3320ASTOB凭借其经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，能够轻松融入高密度PCB布局，同时提供高达100mA的连续漏极电流。它的低输入电容（典型值45pF @ 25V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加敏捷，整体能效显著提升。无论是处理微弱的信号切换还是参与精密的功率路径管理，它都能游刃有余。

选择ZVN3320ASTOB，就是选择了一份经得起考验的可靠性与设计灵活性。其10V的标准驱动电压与最大仅3V的栅极阈值电压，使其能够与广泛的微控制器和逻辑电路轻松接口，大大降低了驱动电路的设计门槛。在需要稳定、长期运行的设备中，其坚固的性能表现是您产品品质的有力背书。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的DIODES芯片代理能够为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新之旅畅通无阻。立即将ZVN3320ASTOB纳入您的设计库，开启高效、可靠的产品升级之路。

• 型号:ZVN3320ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN3320ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要高压、小信号切换的电路吗？ZVN3320ASTOB正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压耐受能力，能轻松应对各种离线式电源适配器、工业控制板或消费电子中的高压侧开关任务，让您的设计在电压安全方面高枕无忧。

它能在仅10V的驱动电压下高效导通，提供最高100mA的连续电流，同时保持极低的输入电容，这意味着更快的开关响应和更低的功率损耗。采用经典的TO-92兼容封装，让您能在紧凑的空间内实现可靠的性能集成，无论是原型制作还是量产，都能轻松驾驭，显著提升您的开发效率与产品可靠性。