ZVN3320ASTOA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能可靠、成本经济的200V级MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍ZVN3320ASTOA，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其经典的TO92-3封装和稳健的200V耐压能力，为您的低电流开关应用提供了一个久经考验的卓越选择。

想象一下，在那些需要高电压、小电流精准控制的场景中，比如离线式开关电源的启动电路、小功率LED驱动的调光模块，或是工业控制设备中的信号隔离与切换部分。ZVN3320ASTOA正是为此而生。它就像电路中的一位沉默而可靠的守护者，在高达200V的电压下稳定工作，以0.1A的连续漏极电流，精确执行每一次开启与关断指令。其经典的设计意味着它拥有广泛的兼容性和已被无数项目验证过的可靠性，让您的设计在性能与风险之间找到完美平衡。

选择ZVN3320ASTOA，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一份源自Diodes品牌的品质承诺与设计自由。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的技术和库存备货依然使其成为特定升级、维护或成本敏感型项目的理想之选。它能帮助您简化BOM清单，降低整体系统成本，同时不牺牲关键环节的性能要求。如果您正在规划这样的项目，通过值得信赖的DIODES中国代理进行咨询与采购，将是确保您获得正品货源和专业技术支持的最便捷途径。让这颗经典芯片的剩余价值，在您的智慧设计中继续闪耀光芒。

• 制造商产品型号：ZVN3320ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• 想获取ZVN3320ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高电压、小电流的电路控制寻找一颗简单高效的“开关”吗？ZVN3320ASTOA就是您期待的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有200V的强劲耐压能力，专为处理那些需要高压信号但电流不大的精密控制任务而设计。

它能轻松胜任开关电源启动、LED调光驱动、信号隔离等多种场景中的核心开关角色。其经典的TO92-3封装让您在设计、焊接和更换时都倍感轻松。选择它，就是选择用一颗久经考验的成熟芯片，为您的项目带来稳定可靠的性能保障，让您的电路设计更加高效、经济。