ZVN3310FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准小电流控制，同时体积还要足够小巧的开关器件而烦恼？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍ZVN3310FTA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的精巧解决方案。它集100V高耐压、100mA连续电流能力于一身，却仅封装在微小的SOT-23-3贴片之中，完美诠释了“小身材，大能量”的设计哲学，为您的产品在性能和空间上赢得双重优势。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，它能够高效地切换电路，确保电能精准送达；在工业传感器或通信模块的接口保护与信号切换部分，其100V的漏源电压提供了宽裕的安全余量，从容应对电压波动。无论是需要长时间待机的物联网节点，还是对功耗极其敏感的电池供电设备，ZVN3310FTA凭借其低至2.4V的栅极阈值电压和10V驱动下的优异导通特性，都能让您的系统以更低的驱动功耗实现可靠开关，显著延长设备续航。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是确保了从严寒到酷热的各种严苛环境下，性能始终稳定如一。

选择ZVN3310FTA，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种高效、可靠的设计路径。它简化了您的电路设计，减少了外围元件需求，让PCB布局更加灵活紧凑。其表面贴装形式完全适配现代自动化生产流程，助力您提升制造效率，降低成本。为了确保您能获得原厂品质的正品芯片与完善的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES授权代理进行采购。立即将ZVN3310FTA纳入您的设计，体验这颗小巧芯片如何为您的产品注入强大的驱动核心与持久的生命力。

• 型号:ZVN3310FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取ZVN3310FTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭高压小电流场景的“开关能手”吗？ZVN3310FTA正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和100mA的连续电流处理能力，让您在设计电源管理、信号切换或接口保护电路时信心十足。

它的魅力在于极高的易用性与效率。仅需10V驱动电压即可实现优异的导通性能，低至2.4V的栅极阈值电压让您能轻松兼容各类低压控制信号。同时，其微小的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，而330mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），则确保了在各种应用环境中都能稳定可靠地工作，助您打造更紧凑、更高效、更稳健的电子产品。