ZVN3310ASTZ

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准小信号控制的可靠开关而烦恼？现在，答案就在眼前ZVN3310ASTZ，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高效与稳定性的双重渴望而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您电路设计中提升性能、简化布局、保障长期可靠性的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制板或是精密传感器接口电路中，ZVN3310ASTZ正以其高达100V的漏源电压承受能力，从容应对各种电压波动，为您的核心器件筑起一道坚固的防线。其200mA的连续漏极电流，专为高效处理中小功率开关任务而优化，无论是控制继电器的通断，还是驱动小型负载，都能做到响应迅速、损耗极低。更令人心动的是，它仅需10V的驱动电压即可实现优异的导通性能，这意味着您可以使用更简单的驱动电路，轻松实现高效开关，从而节省宝贵的PCB空间和系统功耗。

这款芯片的价值，在广泛的应用场景中得以淋漓尽致地展现。在工业自动化设备中，它确保信号隔离与开关控制的绝对可靠；在消费电子产品的电源部分，它助力实现更长的待机时间和更稳定的输出；在汽车电子辅助系统里，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）保证了在严苛环境下的稳定运行。选择ZVN3310ASTZ，就是选择了一种经过市场验证的解决方案，它采用经典的TO-92兼容封装（E-Line），便于焊接和替换，极大降低了您的生产与维护复杂度。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，请务必通过官方DIODES授权代理进行采购，这是保障产品正宗、品质如一、并获得完整供应链支持的关键一步。让ZVN3310ASTZ成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的产品新篇章。

• 型号:ZVN3310ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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还在寻找一颗能轻松驾驭100V高压环境、实现精准高效开关控制的“全能型”MOSFET吗？ZVN3310ASTZ正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和200mA的连续电流能力，让您在设计电源管理、信号切换或小型负载驱动电路时信心十足。

它的魅力在于极高的易用性与可靠性。仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻，让您的驱动电路设计变得异常简单。经典的TO-92兼容封装，让焊接和替换毫不费力。无论是应对工业环境的严苛考验，还是满足消费电子对能效的极致追求，ZVN3310ASTZ都能以稳定的表现，助您轻松打造出更高效、更可靠的产品。