ZVN3310A

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准高效开关控制的微型功率器件而烦恼？现在，答案来了ZVN3310A，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对可靠性与性能的双重期待而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您电路设计中提升效率、简化布局、确保长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在您的智能家居控制器、便携式设备电源管理模块或工业传感器接口电路中，ZVN3310A正以其高达100V的漏源电压和200mA的连续漏极电流能力，从容应对各种开关与负载驱动任务。其仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻，意味着更低的驱动损耗和更高的整体能效，让您的产品在待机功耗和运行效率上脱颖而出。无论是需要快速响应的信号切换，还是对空间极其敏感的紧凑型设计，其经典的TO-92-3通孔封装都提供了无与伦比的灵活性和可靠性，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是确保了它在严苛环境下的稳定表现。

选择ZVN3310A，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与设计自由度。它极低的输入电容（仅40pF @ 25V）和优化的栅极特性，让高速开关变得轻松而干净，显著减少开关噪声对敏感电路的干扰。这为您省去了后期繁琐的滤波和调试工作，直接加速产品上市进程。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，通过值得信赖的DIODES中国代理获取ZVN3310A，不仅是获得了一颗芯片，更是为您的项目注入了Diodes品牌的品质保障与技术支持，让创新之路更加顺畅无忧。

• 型号:ZVN3310A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVN3310A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭100V高压、实现精准微电流控制的开关核心吗？ZVN3310A N沟道MOSFET正是您的理想之选。它专为高效、可靠的开关应用而设计，让您能以极低的驱动损耗（10V驱动电压），稳定控制高达200mA的负载电流。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电路设计更简洁、更高效。其低至10欧姆的导通电阻和极小的输入电容，确保了快速的开关响应和优异的热性能，显著提升整体能效。无论是电源管理、信号切换还是电机驱动，ZVN3310A都能以经典的TO-92封装和宽广的工作温度范围，为您的产品提供坚实可靠的性能基础。