ZVN2535ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持紧凑体积的开关解决方案？今天，我们为您带来一个卓越的答案ZVN2535ASTOB。这款来自Diodes Incorporated的高性能N沟道MOSFET，以其350V的耐压能力和出色的电气特性，正成为众多工程师在升级产品性能时的秘密武器。它不仅是一个简单的开关元件，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在紧凑的离线式开关电源辅助电路中，它如何精准地管理启动或待机功耗；在工业控制板的信号隔离与切换部分，它如何凭借高达150°C的结温从容应对严苛环境；又或者，在那些对空间极为敏感的消费电子模块内部，经典的TO-92兼容封装让它轻松融入，毫不费力。无论是需要高压小电流开关的场合，还是对栅极驱动要求简洁高效的应用，ZVN2535ASTOB都能以其低至70pF的输入电容和仅需10V的驱动电压，实现快速响应与低损耗的完美平衡，让您的设计思路得以自由驰骋。

选择ZVN2535ASTOB，意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性。其高达700mW的功率耗散能力，为设计提供了充裕的安全余量。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的连续性与安全性。这不仅仅是一次元件采购，更是为您的产品注入Diodes品牌一贯的卓越品质与性能保障，让您在激烈的市场竞争中，凭借更稳定、更高效的硬件核心脱颖而出。

• 制造商产品型号：ZVN2535ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：350V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZVN2535ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否在寻找一颗能轻松驾驭350V高压、同时保持极简驱动与高可靠性的开关核心？ZVN2535ASTOB正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能为您高效完成高压小电流电路的精准开关任务，其仅需10V的驱动电压和35欧姆的低导通电阻，让您的控制电路设计更简单，功耗更低。

它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，便于您在原型开发或紧凑型模块中灵活布局。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保它在各种严苛环境下稳定运行，让您无后顾之忧。选择它，就是为您的电源管理、工业控制或消费电子应用，选择了一份坚实的性能基石。