ZVN2120GTC

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持紧凑体积的开关器件而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案ZVN2120GTC。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和高达320mA的连续漏极电流能力，正成为众多工程师在高压小信号切换应用中的秘密武器。它不仅是一个组件，更是您提升产品性能、简化设计流程的关键一步。

想象一下，在您的离线式电源适配器、LED驱动电路或是家用电器控制板中，ZVN2120GTC正默默发挥着核心作用。它凭借仅10V的驱动电压即可实现高效导通，其最大10欧姆的导通电阻确保了在250mA电流下的低损耗运行。这意味着更少的热量产生，更高的系统效率，以及更长的产品寿命。无论是应对-55°C到150°C的严苛工作温度，还是在紧凑的SOT-223封装内实现2W的功率耗散，它都游刃有余，让您的设计从容应对各种挑战。

选择ZVN2120GTC，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与Diodes领先的半导体技术。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在特定应用和库存替换市场中依然极具价值。为了确保您能获得正品保障与稳定的供应，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。这不仅能规避供应链风险，更能获得专业的技术支持，让您的项目从选型到量产都一路畅通。让这颗高效、可靠的MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石。

• 型号:ZVN2120GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN2120GTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流电路的开关选择而犹豫吗？让ZVN2120GTC来为您轻松化解难题！这颗N沟道MOSFET就像一个高效精准的‘电子开关’，专为200V以下的高压环境设计，能可靠地控制高达320mA的电流通断。其10V的低驱动门槛和优化的导通特性，让您的控制电路设计更简单，响应更迅速。

它采用坚固的SOT-223表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其2W的功率处理能力和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，更能确保您的设备在各种环境下稳定运行，大幅提升整体系统的可靠性与能效。选择它，就是为您的产品注入一份高效与安心。