ZVN2120GTA

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压、小电流应用中稳定发挥的开关解决方案而反复权衡？今天，我们为您带来一个集高性能与高性价比于一身的卓越答案ZVN2120GTA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和精准的电流控制，正在重新定义小型化电源管理和信号切换的标准。

想象一下，在您的AC-DC适配器、离线式开关电源或者LED照明驱动电路中，ZVN2120GTA能够轻松胜任初级侧的辅助电源开关或信号隔离切换任务。它那仅10欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率与长期运行稳定性。无论是应对工业控制中的传感器接口，还是消费电子中的高效充电管理，这颗芯片都能确保每一次开关都精准、迅捷且能量损失最小化。

选择ZVN2120GTA，您选择的不仅仅是一个元件，更是一份对设计成功的坚实保障。其SOT-223的紧凑封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了高达2W的出色散热能力，完美平衡了小型化与高功率的需求。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它无惧严苛的环境挑战。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，将是确保项目顺利推进、获得原厂品质与服务的明智之举。让ZVN2120GTA成为您下一个创新设计中不可或缺的“高效开关艺术家”，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:ZVN2120GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVN2120GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压小电流电路的开关选择犯难吗？让ZVN2120GTA为您轻松化解挑战！这颗N沟道MOSFET拥有200V的漏源电压和320mA的连续漏极电流，是您实现高效、精准电源管理与信号切换的理想核心。其10V驱动电压下仅10欧姆的低导通电阻，能显著降低功耗，提升系统整体能效。

采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，它不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热设计更能确保在各类应用中稳定运行。无论是开关电源、LED驱动还是工业控制接口，ZVN2120GTA都能以可靠的性能，让您的设计更高效、更精简、更具竞争力。