ZVN2120ASTZ

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持小巧体积与出色性价比的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的答案ZVN2120ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和精巧的E-Line封装，正成为众多工程师在紧凑型高压应用中的秘密武器。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品性能、简化设计流程、控制整体成本的关键一步。

想象一下，在那些空间极其宝贵的场景里，比如智能家居中的小型电源模块、工业传感器接口的隔离驱动，或是便携式设备的高压切换电路。ZVN2120ASTZ的TO-92兼容封装让它能轻松融入高密度的PCB布局，而其高达200V的漏源电压和180mA的连续电流能力，确保了在应对突发电压尖峰或持续小电流负载时游刃有余。无论是作为高效的电子开关，还是用于信号电平转换，它都能提供稳定可靠的性能，让您的设计在严苛环境下依然坚如磐石。

选择ZVN2120ASTZ，意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性。其仅需10V的驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了驱动电路设计，降低了系统功耗。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境。虽然该型号已停产，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品的维护与升级提供稳定支持。这不仅仅是一次元件采购，更是为您的产品生命周期注入持久活力、保障供应链安全的有力举措。

• 型号:ZVN2120ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:85 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压开关任务，同时体积小巧、易于驱动的MOSFET吗？ZVN2120ASTZ正是为您而来！这颗N沟道MOSFET就像一个高效、可靠的微型开关，让您仅用10V电压就能精准控制高达180mA的电流通断，其极低的输入电容确保了快速的开关响应，助您构建高效节能的电路系统。

它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，安装简便，非常适合空间受限或需要高可靠性的应用。无论是用于电源管理中的辅助开关、信号隔离，还是各种需要高压小电流控制的场合，ZVN2120ASTZ都能以稳定的性能和出色的性价比，成为您设计中的得力助手，让复杂的高压控制变得简单而高效。