ZVN2110ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中压信号的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的经典解决方案ZVN2110ASTOB。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和320mA的连续漏极电流能力，在众多需要高效信号切换与功率控制的场景中，始终扮演着默默奉献却至关重要的角色。

想象一下，在您的智能家居控制器、便携式设备电源管理模块，或是工业传感器接口电路中，ZVN2110ASTOB能够轻松胜任。它那仅需10V驱动电压即可实现低导通电阻的特性，意味着更低的驱动功耗和更快的开关速度，让您的系统响应更加敏捷。其经典的E-Line（TO-92兼容）封装，不仅便于手工焊接和自动化生产，更能无缝集成到各种现有的PCB布局中，大大简化了您的设计流程。当您需要可靠的合作伙伴来确保关键元器件供应时，选择一家专业的DIODES代理至关重要，他们能为您提供稳定的货源与专业的技术支持。

为何在众多选择中，这款器件值得您重点关注？因为它代表了一种经久不衰的价值。高达700mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它出色的环境适应性与长期运行稳定性。尽管其产品状态标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场存量，在许多延续性项目和特定应用领域，它依然是高性价比和可靠性的代名词。选择ZVN2110ASTOB，不仅是选择了一个电子元件，更是选择了一份历经考验的安心与效率，它能帮助您以更低的系统复杂度和成本，实现稳定而卓越的性能输出。

• 型号:ZVN2110ASTOB
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN2110ASTOB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的小型负载切换寻找一颗高效、可靠的“心脏”吗？ZVN2110ASTOB正是您需要的答案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能让您轻松驾驭高达100V的电压和320mA的电流，以仅10V的驱动电压实现高效导通，完美适用于各类信号切换、电源管理和驱动电路。

它采用经典的TO-92兼容封装，让您的PCB布局和焊接工作变得异常轻松。其宽广的工作温度范围和稳定的性能表现，确保您的设备在各种环境下都能高效、可靠地运行。选择它，就是为您的设计注入一份简单而强大的控制力。