ZVN2110ASTOA

在追求极致能效与稳定性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内可靠处理100V电压的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前ZVN2110ASTOA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足您对高性能与小尺寸的双重渴望而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力的秘密武器，以其100V的漏源电压和320mA的连续漏极电流能力，在众多应用场景中展现出非凡的适应性。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或是高效的负载开关电路中，ZVN2110ASTOA能够轻松胜任。其仅需10V的驱动电压即可实现优异的导通性能，最大导通电阻低至4欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。无论是处理信号切换还是管理功率分配，它都能确保您的系统运行得更凉爽、更持久。其经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，不仅便于焊接和测试，也为您的PCB布局提供了极大的灵活性，尤其适合空间受限或需要高可靠性的设计。

选择ZVN2110ASTOA，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与Diodes领先技术的结合。尽管该型号已停产，但其卓越的性能指标包括宽广的-55°C至150°C工作结温范围、高达700mW的功率耗散能力以及仅75pF的低输入电容使其在库存或特定需求项目中依然极具价值。它能有效简化您的设计，减少外围元件需求，从而加速产品上市进程。为确保您获得正品保障与稳定的供货支持，我们强烈推荐您通过官方DIODES授权代理进行采购，为您的项目成功增添一份安心。

• 型号:ZVN2110ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN2110ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的高效开关与功率控制寻找可靠的核心吗？ZVN2110ASTOA正是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和320mA的连续电流处理能力，让您在设计低压驱动、信号切换或电源管理模块时，能够轻松实现高效、稳定的性能。

它采用经典的E-Line通孔封装，兼容TO-92，便于您快速集成与测试。其低至4欧姆的导通电阻（在10V驱动下）意味着更少的能量损耗，帮助您的系统运行得更节能、更凉爽。无论是工业控制、消费电子还是通信设备中的辅助电路，ZVN2110ASTOA都能以出色的可靠性，成为您设计中值得信赖的一环。