ZVN2110A

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、成本可控的功率开关解决方案而反复权衡？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案ZVN2110A。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达320mA的连续漏极电流，为众多中低压应用场景注入了强劲而可靠的心脏。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化设计流程、确保长期稳定运行的战略性选择。

想象一下，在您的智能家居控制模块中，需要精准地切换小功率负载；或者在工业传感器的信号调理电路中，要求极低的功耗与快速的响应；亦或是在便携式设备的电源管理部分，空间紧凑却对效率有着严苛标准。ZVN2110A正是为这些场景而生。其仅需10V驱动电压即可实现优异的导通特性（最大导通电阻4欧姆@1A,10V），让您的电路开关动作干净利落，有效减少能量损耗和热量积聚。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着它能够从容应对从酷寒到炎热的极端环境挑战，确保您的产品在任何条件下都表现如一。

选择ZVN2110A，就是选择了一份经得起考验的承诺。经典的TO-92-3通孔封装，不仅便于焊接和测试，也经过了漫长市场周期的验证，拥有极高的可靠性与可获取性。其低至75pF的输入电容，显著降低了驱动电路的负担，让您的系统设计更加轻松高效。当您需要稳定可靠的供应与专业的技术支持时，选择一家资深的DIODES芯片代理至关重要，他们能确保您获得正品货源与完整的应用支持，让创新之路畅通无阻。让ZVN2110A成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:ZVN2110A
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• 想获取ZVN2110A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为小功率开关电路的选择而烦恼吗？ZVN2110A N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能为您精准、可靠地控制高达100V电压、320mA电流的通断，其低至4欧姆的导通电阻和仅需10V的驱动电压，让您的电路损耗更低、响应更快，整体能效显著提升。

这颗芯片能让您的设计工作变得异常轻松。无论是用于信号切换、负载驱动还是电源管理，其宽广的工作温度范围和稳定的性能，都能确保您的产品在各种环境下持久稳定运行。选择ZVN2110A，就是选择了一份简单、高效与安心，让您更专注于核心功能的创新与实现。