ZVN2106ASTOA

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、性价比高的N沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案ZVN2106ASTOA。这款来自Diodes Incorporated的经典MOSFET，以其60V的耐压能力和450mA的连续漏极电流，为中小功率应用场景树立了可靠性的标杆。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制板或是各类负载开关电路中，ZVN2106ASTOA正以其出色的表现默默工作。其10V驱动电压下仅2欧姆的最大导通电阻，意味着更低的导通损耗和更高的能源转换效率，让您的设备运行更“冷静”，续航更持久。无论是工业自动化设备中的信号切换，还是消费电子产品里的节能控制，它都能确保快速、精准的响应，为终端用户带来流畅稳定的使用体验。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。

选择ZVN2106ASTOA，就是选择了一份经过市场长期验证的安心。经典的TO-92兼容（E-Line）通孔封装，不仅便于焊接和测试，也为现有设计的兼容与升级提供了极大便利。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源与稳定的供应支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，他们能为您提供专业的技术选型指导和可靠的供应链服务。让这颗久经考验的芯片，继续为您的创新产品注入高效与稳定的核心动力。

• 型号:ZVN2106ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVN2106ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭中小功率开关任务的“得力干将”吗？ZVN2106ASTOA正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和450mA的连续电流处理能力，让您在设计电源电路、电机驱动或负载开关时，能够高效实现信号的精准控制与通断。

它最大的魅力在于其平衡而优秀的性能。在10V驱动下，导通电阻低至2欧姆，能显著减少功率损耗，提升整体能效。同时，极低的输入电容（仅75pF）确保了快速的开关速度，让您的系统响应更为迅捷。采用经典的TO-92兼容封装，无论是原型制作还是批量生产，都能让您的焊接与组装工作变得轻松简单。