ZTX325STZ

当您的射频电路设计需要在高频段保持卓越的稳定性与清晰度时，您是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的核心晶体管而反复权衡？今天，我们为您带来一个历经市场验证的经典答案ZTX325STZ。这颗来自Diodes Incorporated的射频晶体管，以其高达1.3GHz的跃迁频率和仅为5dB@500MHz的低噪声系数，为您的高频应用注入澎湃而纯净的信号动力。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品射频性能、确保信号完整性的关键基石。

无论是无线通信模块中的低噪声放大，还是便携式设备中的高频信号处理，ZTX325STZ都能游刃有余。其宽广的-55°C至200°C工作温度范围，让它能在各种严苛环境下稳定运行，从工业控制到车载电子，都能展现其坚韧本色。高达53dB的增益，意味着微弱的信号也能被清晰捕捉并强力放大，让您的设备“听得更清，传得更远”。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的高频性能保障。

在众多射频晶体管中，为何ZTX325STZ值得您的青睐？因为它将关键性能参数做到了出色的平衡。15V的集射极击穿电压和350mW的最大功率，提供了充足的安全余量和驱动能力；50mA的集电极电流与25@2mA,1V的直流电流增益，确保了高效的信号放大与转换效率。其经典的E-Line通孔封装，更便于在原型设计和需要高可靠性的应用中实现稳固连接。我们作为专业的DIODES代理，深知这颗芯片的价值，并致力于为您提供可靠的原厂货源与技术支持，助您将卓越的射频设计理念轻松转化为现实。

• 型号:ZTX325STZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V
• 频率 - 跃迁:1.3GHz
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:5dB @ 500MHz
• 增益:53dB
• 功率 - 最大值:350mW
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:25 @ 2mA，1V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:E-Line-3，成型引线
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 想获取ZTX325STZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高频电路中的信号衰减和噪声干扰而烦恼吗？让ZTX325STZ为您带来改变！这颗高性能NPN射频晶体管，专为1.3GHz及以下的高频应用优化，能轻松担任您电路中的低噪声放大器或振荡器核心角色，显著提升信号质量和系统灵敏度。

它凭借高达53dB的增益和低至5dB@500MHz的噪声系数，让您能够高效地捕捉并放大微弱信号，同时保持出色的信噪比。其坚固的E-Line通孔封装和宽达-55°C至200°C的工作温度范围，确保了在各种环境下的长期稳定运行，让您的设计无后顾之忧，专注于实现更卓越的射频性能。