SBRT3M30LP-7

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效能整流时，是否曾为传统肖特基二极管的高温降额和正向压降损耗而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出SBRT3M30LP-7，一款基于革命性TrenchSBR技术的超级势垒整流器，它将彻底改变您对30V/3A级别整流方案的认知。其核心价值在于，在保持极低正向压降（仅490mV @ 3A）的同时，实现了惊人的快速恢复性能（trr仅16ns），这意味着更低的导通损耗、更少的热量产生以及更高的系统整体效率，让您的产品在性能和可靠性上双双脱颖而出。

想象一下，在空间极其宝贵的便携式设备、高密度电源模块或汽车辅助系统中，SBRT3M30LP-7的8-PowerUDFN超薄封装（U-DFN3030-8）能轻松融入您的PCB布局，释放宝贵的板级空间。它不仅是DC-DC转换器、极性保护、续流和OR-ing应用的理想选择，其快速恢复特性更能有效应对开关电源中的高频开关噪声，确保系统运行更干净、更稳定。无论是提升笔记本电脑的电池续航，还是增强车载充电器的转换效率，这颗芯片都能成为您设计中那个默默奉献却至关重要的“效率引擎”。

选择SBRT3M30LP-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠技术路径。Diodes Incorporated的TrenchSBR系列以其卓越的性能和稳定性著称，而这款芯片正是该系列的杰出代表。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统热管理复杂性的战略资产。极低的反向泄漏电流（20A @ 40V）和电容（100pF @ 30V）特性，进一步保障了其在轻载和待机状态下的优异表现。为了确保您能获得原厂正品和全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的性能使其在特定应用和现有产品维护中依然具有不可替代的价值，抓住机会为您的经典设计锁定这份可靠的性能保障。

• 型号:SBRT3M30LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 3A U-DFN3030-8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):16 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 A @ 40 V
• 不同Vr、F 时电容:100pF @ 30V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• 想获取SBRT3M30LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一款能同时兼顾高效率、低发热和紧凑尺寸的整流解决方案吗？SBRT3M30LP-7超级势垒整流器正是为您而来。它基于先进的TrenchSBR技术，能够在3A电流下仅产生490mV的超低正向压降，显著降低导通损耗，让您的电源设计更“冷静”、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅16ns的极速反向恢复时间和快速恢复能力，能有效抑制开关噪声，提升系统稳定性。其30V的反向耐压和仅20A的超低反向漏电流，确保了在各种工况下的可靠性与低功耗。采用8-PowerUDFN超薄封装，让您轻松实现高密度板级布局，是便携设备、电源模块和汽车电子中实现高效整流的得力助手。