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SBR4U130LP-7的图片

SBR4U130LP-7

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE SBR 130V 4A U-DFN3030-8
原厂封装:封装:U-DFN3030-8
优势价格,SBR4U130LP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SBR4U130LP-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和发热问题而烦恼?想象一下,如果有一种解决方案,能将正向压降显著降低,让每一瓦电力都物尽其用,那将为您的产品带来怎样的性能飞跃和市场优势?答案就藏在SBR4U130LP-7这颗卓越的超级势垒整流器之中。

它绝非普通的二极管。基于Diodes引以为傲的SBR技术,SBR4U130LP-7在4A的额定电流下,正向压降(Vf)低至惊人的750mV。这意味着在相同的工作条件下,它能比传统肖特基或快恢复二极管产生更少的热量,显著提升系统整体效率。无论是对于空间紧凑、散热挑战大的便携设备,还是对于追求“绿色”指标和长寿命的工业与通信设备,这种效率的提升直接转化为更长的续航、更小的散热器尺寸以及更高的可靠性,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

其应用场景广泛而关键。在服务器和通信基础设施的AC-DC前端电源中,它能够有效降低待机功耗,满足严苛的能效标准。在电动工具、无人机电池管理系统(BMS)或车载充电器(OBC)中,130V的高反向耐压和快速恢复特性确保了在动态负载下的稳定与安全,轻松应对电压尖峰。同时,其紧凑的8-PowerUDFN封装专为高密度PCB设计而生,让您在有限的板级空间内实现更高的功率密度和更优的布局。选择它,就是为您的设计注入高效、可靠与紧凑的基因。

那么,为何SBR4U130LP-7是您不容错过的选择?首先,它代表了整流技术的前沿,用实实在在的低Vf参数解决核心能效痛点。其次,Diodes Incorporated的品质保障和“有源”的产品状态,意味着稳定的供货和长期的技术支持,为您的量产计划保驾护航。如果您正在寻找值得信赖的供应渠道,我们作为专业的DIODES一级代理,不仅能提供原装正品,更能为您提供深度的技术选型支持和灵活的供应链服务。立即采用SBR4U130LP-7,不仅仅是选择了一颗元件,更是为您的下一个成功产品奠定了坚实的能效基石。

  • 型号:SBR4U130LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN3030-8
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 130V 4A U-DFN3030-8
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):130 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):4A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 4 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 130 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerUDFN
  • 供应商器件封装:U-DFN3030-8
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • 想获取SBR4U130LP-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率难以突破而困扰吗?SBR4U130LP-7超级势垒整流器,正是为您提升系统性能、降低能耗而生的利器。它采用先进的SBR技术,在4A电流下仅产生750mV的超低正向压降,能显著减少导通损耗和发热,让您的设备运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么?它集130V高耐压、4A大电流承载能力和快速恢复特性于一身,确保在AC-DC电源、电机驱动、电池管理系统等应用中稳定可靠。其表面贴装的U-DFN3030-8封装,让您能轻松实现高密度板级设计,节省宝贵空间。选择SBR4U130LP-7,就是选择以更优的能效和可靠性,赢得市场先机。

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